磁阻磁头则基于磁阻效应，利用磁性材料的电阻变化读取数据。它采用多层膜结构，包含磁阻效应膜、偏磁膜等，通过信号放大器和硬盘最大相似性技术读取微弱的电信号，进而获取磁记录信息。巨磁阻磁头的出现，如IBM公司的贡献，利用电子的自旋特性，以自旋阀结构实现更高的灵敏度。
巨磁阻磁头就是应用了这种特性，相比传统磁头，它对电子的利用要更充分一些。巨磁阻磁头的核心部分是四层膜：自由膜、非磁性膜、引线膜和反铁磁膜。
自旋阀结构：自旋阀器件采用反铁磁/铁磁/非磁/铁磁的四层结构，分为CIP与CPP两种类型。CIP器件因其简单测试成为早期代表，而CPP器件则因其强散射和高磁阻率备受瞩目。交换偏置效应：自旋阀的核心在于利用交换偏置效应，通过铁磁层的磁矩钉扎在易磁化方向，实现磁场下的高阻或低阻转换。
Tunneling Magneto-Resistance（TMR），简称TMR，是一种缩写，代表英文单词隧道磁阻。中文拼音为suì dào cí zǔ，在英文中具有较高的4573次流行度。它主要应用于计算机和硬件领域，特别是与磁性记忆和磁记录技术相关。
这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。巨磁阻效应在高密度读出磁头、磁存储元件上有着广泛的应用。
磁电子器件研究、优化了纳米磁性多层薄膜微磁结构，解决了高品质硅基多层纳米磁性薄膜的制备、刻蚀等关键器件集成方法问题，实现了磁阻变化率超过 9% 的标准巨磁电阻（GMR）自旋阀结构。设计了优化的器件单元结构，研制了具有优异性能的可用于验钞机磁头等的磁场传感器芯片。
巨磁电阻（GMR）效应是一种独特的物理现象，它描述的是磁性材料在外部磁场存在时，其电阻率与无磁场时相比会发生显著的变化。这个变化可以用公式gmr = （h） - （0）来表示，其中（h）指的是在磁场h作用下的材料电阻率，而（0）则是指在无外磁场条件下的电阻率。
巨磁电阻效应可解释为磁性材料电阻率随外界磁场显著增大。一般通过设置惠斯通电桥的方式，在两个桥臂上会固定电阻，另外两个桥臂为固定电阻（和，或补偿电阻…）。在易磁化轴上磁场变化时，GMR电阻变化，桥式电路输出明显变化。基于此，可以实现磁场检测。主要应用领域： 硬盘磁头。
总结来说，巨磁电阻是一种利用磁场效应调控电阻的技术，它的出现极大地提升了磁性存储设备的数据存储性能，对于现代信息技术的发展具有重要意义。
巨磁电阻是一种特殊的物理现象。巨磁电阻效应是指某些材料在受到强磁场作用时，其电阻值发生显著变化的现象。这一现象在自旋电子学领域尤为重要，因为它为开发新型磁传感器、磁存储器件等提供了可能。具体来说，当材料处于强磁场环境中，其内部的电子运动会受到磁场的影响，从而导致电阻的明显变化。
巨磁电阻效应是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。
1、文章结论：巨磁电阻，即巨磁阻效应，是一种物理现象，其核心是磁性材料在外部磁场影响下的电阻特性显著变化。当材料处于磁场中时，其电阻率会急剧下降，相较于常规磁性金属合金的磁电阻，这种变化幅度可高达10倍以上。
2、巨磁电阻效应是指材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象。一般将其定义为GMR=H/R，其中H为在磁场H作用下材料的电阻率，R为无外磁场作用下材料的电阻率 。
3、巨磁电阻效应，即在磁场的调控下，磁性材料的电阻特性会发生显著变化。这是量子力学现象在磁性材料中的具体表现，是磁阻效应的一种关键特性。这种现象主要在特定的薄膜结构中展现，即由交替排列的铁磁和非铁磁薄层构成。
4、巨磁电阻（GMR）效应是一种现象，它描述了在磁场存在时，材料的电阻率相较于无磁场时有显著变化。其核心概念可以用公式gmr=（hρ）-（0ρ）来表示，其中h是磁场强度，ρ在磁场下的电阻率与无磁场时的电阻率ρ0相对。
消防水炮的一种型号，100为探测距离，有接收器LIAN-GMT100和发射器LIAN-GMR100组成。
Tmr的意思是全混合日粮。TMr的全称是Total Mixed Rations，意思是全混合日粮，全混合日粮是一种可以把粗料、精料、矿物质以及维生素还有其他的食物添加剂充分的混合。
罕见度：黄金千年闪GMR卡包：MB01OCG：特殊召唤/效果：这张卡不能通常召唤。把自己场上1只「被封印」怪兽解放的场合才能特殊召唤。①：这张卡的攻击力上升自己墓地的「被封印」怪兽数量×1000。②：这张卡不受其他卡的效果影响。③：自己结束阶段发动。从自己墓地选1只「被封印」怪兽加入手卡。
我会五笔，还需要知道哪里空格的才能知道是什么字。比如y加空格就是“主”字，yf加空格就是“计”字，yft加空格就是“诸”字，等等。就好比英语单词要用空格分开一样。
.2001年：新的磁头技术，此时的全部硬盘几乎均采用GMR，该技术目前最新的为第四代GMR磁头技术。 12003年1月，日立宣布完成5亿美元的收购IBM硬盘事业部计划，并成立日立环球储存科技公司（Hitachi Global Storage Technologies，Hitachi GST）。
磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关；两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。
年法国人首先发现了巨磁电阻效应，到1997年巨磁电阻为原理的纳米结构器件已在美国问世，在磁存储、磁记忆和计算机读写磁头将有重要的应用前景。 最近美国柯达公司研究部成功地研究了一种即具有颜料又具有分子染料功能的新型纳米粉体，预计将给彩色印橡带来革命性的变革。
